第613章 四大巨頭的價格戰
第613章 四大巨頭的價格戰
四月十六日，通城，徐申學在智雲微電子有限公司的總部里，舉辦了一場半導體會議。
會議主要針對現有七納米以及五納米工藝的產能擴充，未來三納米工藝、二納米工藝的技術攻關進行了討論。
邏輯晶片是徐申學非常關注的一個領域，但是也不僅僅只是關注這個領域。
在儲存晶片領域裡徐申學也非常關注……因為儲存晶片市場目前看似平靜，但是新一輪的大規模價格戰正在醞釀當中。
上一輪儲存晶片市場的價格戰，是兩年前，當時的智雲儲存試圖靠著先大規模量產的10C工藝玩價格戰，四星半導體緊跟身後，試圖聯手打壓海力士以及鎂光。
但是出手過於倉促，資金準備也不是很妥當，最重要的是當時的10C工藝節點產能不夠，10B工藝的競爭力也比較一般，最終導致效果不是很好。
搞了一四敗俱傷的價格戰，除了損失各自的利潤外，沒起到什麼實際作用。
而現在，智雲儲存這邊，打算再來一次！
這一次，他們將會準備的更加充分！
而這一次的半導體會議里，在儲存晶片領域的討論，其實也是為了下一輪的儲存晶片市場的技術戰以及價格戰而準備。
快閃記憶體領域，根據會議討論，將會重點圍繞一百層到一百五十層之間的成熟3D NAND快閃記憶體晶片進行大規模的產能擴充，同時建設擴充兩百層以上的3D NAND快閃記憶體晶片的大規模量產。
雖然兩百層以上的快閃記憶體晶片已經有了，但是受限於成本以及產能問題，目前其實並不是主流。
主流儲存晶片的層數，中高端產品是在一百層到一百五十層節點，而這個中高端市場，也是四大儲存晶片巨頭的核心營收以及利潤來源……是支撐其研發新一代技術，建設下一代新工藝產能的戰略支撐。
只要能夠在這個市場區間裡擠死對手，就等於斷了對手的糧草，對方將會在新工藝的研發，新工藝的產能建設上落後……以後就只能玩落後市場了。
半導體製造業非常殘酷的，一步落後就是步步落後。
而領先者，就能夠在新一代工藝上獲得豐厚的營收以及利潤，進而形成良性循環！
智雲集團，在邏輯晶片領域裡的領先優勢，就是這麼一步一步積累起來的！
現在，在儲存晶片領域裡也這麼玩！
儲存晶片除了3D NAND這種快閃記憶體晶片外，還有一個核心產品那就是運行內存晶片。
半導體會議上，確認了進一步大規模擴充相對成熟的10C工藝內存晶片的產能，要求在兩年內把這個核心工藝的產能再翻一番。
要打價格戰，充足的產能是前提……要不然產能就一點點，供不應求的話，還打什麼價格戰啊！
擴大成熟工藝產能的同時，並進一步推進到10D工藝，即第四代十納米工藝，其實際工藝節點規劃為12納米的量產計劃，要求在今年秋天完成技術驗證，明年就大規模出貨！
10C成熟工藝擔任主力，直接玩大規模降價，衝擊對手的基本盤，讓對手的現金流迅速枯竭，失去維持下一代工藝研發以及製造現金流！
新工藝的研發和製造，很耗費資金的！
同時使用頂級技術……對手一時半會追不上的10D先進工藝占領高端市場，以維持整體利潤。
這是一套組合拳，是價格戰和技術戰的雙重結合！
智雲半導體部門很喜歡這麼打擊對手……大多時候效果都挺好的。
其中的10D工藝，就承擔著非常重要的責任：要趁機搶占高端市場，並且在10C工藝的利潤迅速降低的時候，以自身利潤給整個智雲儲存業務回血！
不然到時候10C工藝大規模降價銷售，利潤暴跌的時候，又沒辦法用10D工藝回血，這樣的話就尷尬了。
10C以及10D工藝，這是智雲集團在內存晶片領域的工藝代稱，10C工藝的實際工藝節點為14納米。
這也是目前全球範圍內大規模量產工藝里最頂級的工藝，該工藝出現的還比較早，一度領先了四星半導體……不過四星半導體沒多久就追上來了，沒能形成太久的技術優勢。
目前的10C工藝，是智雲集團旗下各種高端內存晶片的主要量產工藝，這兩年智雲集團的很多終端產品里，都能找到採用該種工藝的高端內存。
目前智雲集團旗下的智雲儲存的HBM3高帶寬內存，也就是APO6000顯卡上使用的內存，就是採用這一工藝製造。
智雲集團旗下的S系列手機，如去年發布的S20Max Pro旗艦級，上面採用的LPDDR5內存晶片，也是採用這一工藝……智雲儲存旗下的LPDDR5高性能高速內存，也是目前最頂級的低功耗內存，性能甚至超過了四星的LPDDR5內存產品。
其原因就是來源於代工生產LPDDR5內存的智雲微電子，其10C工藝的所提供的卓越性能。
現在的10C工藝，依舊是目前量產工藝里的頂級工藝，當然，已經無法大幅度領先對手了。
因為四星半導體，鎂光，海力士都已經陸續追上來並擁有了該級別工藝……他們的同級別工藝有好有壞，但是整體處於同一級別，區別不是很大。
現在，智雲微電子在內存工藝領域裡，已經是全力朝著更先進的10D工藝衝擊，其工藝節點為12納米。
智雲微電子的內存晶片的工藝劃分，早期是採用30納米，25納米，20納米！
後來進入十納米工藝時代後，第一代採用10A工藝，實際工藝節點為18納米。
第二代10B工藝，實際工藝節點為16納米。
第三代10C工藝，實際工藝節點為14納米……這一代工藝開始，智雲微電子開始採用EUV光刻機製造內存晶片的部分核心工序。
而第四代的10D工藝，實際工藝節點為12納米……
這個10D工藝的技術水平是非常高的，屬於目前世界上技術最先進的內存晶片工藝，沒有之一，哪怕是四星半導體想要追上來都困難的很。
而且這種工藝對先進設備的要求也非常高，10D的很多工序里，已經需要大規模使用最先進的HEUV-300C光刻機了。
之前的10C工藝節點裡，可用不著這種頂級傢伙，用的還是HEUV-300B光刻機，並且也只是在少量的核心工序里使用。
而10D工藝，則是需要更先進的HEUV-300C光刻機，並且應用工序更多……這意味著性能更優秀，但是製造成本也更高。
主要是HEUV-300C光刻機貴……這種光刻機是目前海灣科技旗下，也是全球範圍內性能最頂級的量產型號光刻機，其1.5納米的套刻精度能夠輕鬆用於製造等效五納米/七納米工藝的晶片……這款光刻機，乃是智雲微電子裡現在以及未來用於大規模製造EUV單次曝光工藝的主力光刻機。
至於更老舊的HEUV-300B，雖然光刻性能達標，但是生產效率不太行，每小時產能只有一百二十片，現在都已經停產了……有了更先進的HEUV-300C，海灣科技都不願意繼續生產HEUV-300B了。
這也和海灣科技自己的策略有關，因為EUV的鏡片組產能有限，一年在只能生產這麼點EUV光刻機的情況下，他們更傾向於客戶採購最先進，價格更高，利潤更高的產品。
而不是用寶貴的EUV鏡片組產能，去生產成熟便宜，利潤也比較低的產品。
所以，海灣科技把HEUV-300B光刻機的價格標的比較高，簡單直白的告訴客戶：別買這玩意了，來買HEUV-300C啊！
最後客戶一算，HEUV-300C雖然貴很多，但是綜合使用成本性價比還要更好，所以也不抗拒。
別說智雲微電子了，現在中芯採購EUV光刻機，都是採購HEUV-300C型了，只是他們沒啥錢，買的很少。
現在的HEUV-300C光刻機還是相當不錯的，都能夠用來勉強生產等效三納米工藝的晶片了……智雲微電子的第一代三納米工藝，就是用這款光刻機做的。
當然，只是初步滿足等效三納米工藝的需求，良率以及成本上還是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的製造等效三納米乃至二鈉米等一系列EUV雙重曝光工藝的晶片，那麼就需要更新型，目前海灣科技那邊剛完成原型機研製，還沒有開始供貨的HEUV-300D！
這是一款套刻精度達到了驚人的1納米的頂級EUV光刻機，專門為了EUV雙重曝光工藝而研發。
不出意外的話，這也將會是HEUV-300系列光刻機的終極產物……因為到這個階段，光源波長已經沒辦法縮減了，單次曝光的金屬間距被限制在了26納米左右，用在單次曝光製造五納米工藝就是極限了。
要製造三納米工藝的話，就需要進行雙重曝光，這也是300D光刻機的主要技術進步特徵，進一步縮小了套刻精度，使得雙重曝光的良率更高，成本更低。
然後到了二納米工藝呢？一點五納米工藝？一納米工藝呢？
現在的EUV光刻機可就不太好用了。
怎麼辦？換個方向進一步縮小光刻機的極限金屬間隔！
光刻機里，影響光刻精度的參數有好幾個，其他幾種在DUV光刻機時代基本已經到極限了，EUV光刻機則是使用縮小波長的方式來獲得技術進步。
而現在EUV的光源波長技術路線也差不多玩到頭後，剩下最後一個可以提升空間的就只有『NA數值孔徑』這麼一個參數了。
如HEUV-300系列光刻機里，數值孔徑都是統一的0.33！
現在海灣科技那邊的下一代光刻機，就是打算在數值孔徑上做文章，提升數值孔徑，比如放大到0.55甚至更大，進而獲得更小的金屬間隔。
實現單次曝光就製造十六納米以下甚至更小的金屬線寬！
該計劃也就是海灣科技里的HEUV-800光刻機，一種大數值孔徑EUV光刻機。
海灣科技的光刻機，其產品編號都是統一有規律的。
i線光刻機，編號為HI-100系列……
KRF光刻機，編號為HKRF-200系列
DUV乾式光刻機，編號為HDUV-400系列。
DUV浸潤式光刻機，支持雙重曝光的則是為HDUV-500系列，而支持四重曝光的則是HDUV-600系列。
EUV光刻機，因為當年徐申學一心奔著EUV光刻機去，立項非常早，因此比DUV光刻機還要更早一些，所以老早就拿到了HEUV-300的系列編號。
然後前幾年立項發展的納米光刻機，則是用掉了HNIL-700的編號
而新一代的大數值孔徑EUV光刻機，則是採用了新的HEUV-800系列編號。
這種新一代的HEUV-800光刻機，估計也就這兩年內搞出來原型機，至於什麼時候能實際應用，還要看後續研發情況……但是短時間內夠嗆，因為這東西太貴，還需要繼續技術攻關，把成本拉下來，尤其是製造成本給拉下來，要不然半導體製造工廠使用成本過於高昂，難以為繼。
——————
內存晶片的製造，其實和邏輯晶片也是有點類似的，也嚴重依賴先進光刻機的性能。
有了HEUV-300C光刻機，才有了10D工藝的誕生，目前智雲微電子旗下的工程師們，正在加班加點解決10D工藝的大規模量產問題，不出意外的話，今年秋天左右，第一塊採用10D工藝的內存晶片就會面世，明年春天左右，就能夠大規模出貨！
到時候，智雲集團旗下的智雲儲存，將會在全球範圍內，再一次掀起高端內存領域的戰爭……
不僅僅是在內存領域，在快閃記憶體領域也同樣如此，智雲儲存這邊正在大力推動一百層級別以及一百五十層這兩個工藝節點的3DNAND的成本下降……隨著成本的持續下降，那麼售價也會持續降低……這意味著價格戰！
這一時間表，也是安排在明年春天左右！
智雲儲存正在憋大招呢……試圖同時在快閃記憶體以及內存領域裡掀起一場波及全球儲存晶片市場的戰爭！
智雲儲存去年開始，就已經開始儲備現金流，就等著10D工藝搞定後，在內存晶片領域裡玩價格戰和技術戰。
同時在快閃記憶體晶片領域裡也同樣玩價格戰和技術戰。
雙管齊下，直接來一場規模浩大的儲存晶片戰爭！
這一次，怎麼著也要重創一家內存廠商……直接乾死可能性不大，但是想要重創其中一家，把其中一家擠下第一梯隊還是有可能的。
現在的儲存晶片高端市場裡，有智雲儲存、海力士，鎂光，四星半導體……四家太多了，高端儲存晶片市場的肉不夠分！
邊上的四星半導體也察覺到了智雲儲存的異動，不過他們也是在摩拳擦掌，就等著智雲儲存先發起戰爭……四星半導體的儲存技術一向來都很不錯，雖然現在小幅度落後智雲儲存，但是落後的並不多，而且有四星集團這個母公司在上頭頂著，資金量也很充足的。
再不濟，他們也能夠依靠四星電子的各類產品出貨維持中高端市場的持續出貨。
四星半導體的特性，和智雲儲存/智雲半導體有點類似，都是背靠一家巨大的智能終端企業……想要直接乾死，很難的。
一旦智雲儲存先在儲存晶片領域裡發動戰爭，他們四星半導體也會迅速跟上……跟著一起降價！
然後和智雲儲存一起搶占海力士和鎂光的市場份額。
在儲存晶片領域裡，四星半導體和智雲儲存一向來都很有默契的……經常約著一起打價格戰、技術戰，然後分割其他內存廠商的市場。
多年前全球的各種儲存晶片廠商多了去，數得上名號的都有七八家，現在就只剩下四家還在第一梯隊裡，其他的要麼被收購，要麼變成二三流做中低端市場去了。
這都是智雲儲存和四星半導體的多年來，歷次清洗市場的功勞！
現在，他們打算再來一次！
而到時候，全球的半導體從業者，將會體驗到什麼叫做新一輪的儲存晶片周期……
當然，對於消費者以及企業客戶而言，這是大好事……四大儲存晶片巨頭一起玩價格戰，這意味著大量智能終端廠商等企業採購儲存晶片的成本會下降不少。
而普通消費者們購買內存條，硬碟也會發現價格便宜了不少。
而且不出意外，成熟工藝的儲存晶片價格持續走低，將會持續好幾年！
總之，這一次智雲儲存不乾死其中一家決不罷休……而四星半導體也是信心滿滿能夠抗住這一波的同時，搶食海力士和鎂光的市場。
有這兩家老大和老二一起玩價格戰，後面的老三和老四的鎂光以及海力士也得跟著被迫應戰！
但是海力士和鎂光，他們在技術以及產能、現金儲備上都全面落後，能不能扛得住也是很難說的。
其實今年開始，這兩家公司其實也察覺到這兩家對手的不懷好意的動作……近期的快閃記憶體晶片價格在持續走低，雖然是小幅度，但是陰跌不止啊！
對此，他們的策略其實也很簡單：咬牙死撐……
不是撐到智雲儲存或四星半導體頂不住，而是撐到海力士和鎂光之間死一個。
他們兩家想要活下去，指望智雲儲存和四星半導體撐不住，那不現實，這兩家體量太大，背後的母公司實力太強……但是指望海力士和鎂光之間死一個，那希望就很大了。
鎂光和海力士，他們彼此才是最大的競爭對手！
老三想要活下去，也不一定非要打死老大和老二的，跑的比老四快就行了。
地球上四家一流的儲存晶片巨頭，開始摩拳擦掌，各懷心思的準備新一輪的價格戰……不過外界對此還沒什麼反應，頂多就是察覺到快閃記憶體晶片的價格小幅度持續走低！
而這，只是四大巨頭之間價格戰的前奏而已，真正的大規模價格戰還沒來呢。
這一次的徐申學召開的半導體會議，會議主題里有一大半都是圍繞著即將到來的這一場儲存晶片市場的價格戰而展開的。
當然，技術推進，產能擴充本來就是必須進行的，就算不打價格戰也會這麼搞。
打價格戰也只是順帶的。
對於徐申學旗下各企業而言，擠兌死競爭對手很重要，但是維持自身的技術進步更重要！
他手底下的一堆企業的核心產品，都等著更先進的10D工藝內存，兩百層以上的3D NAND快閃記憶體用呢！
一場半導體會議過後，徐申學返回了深城，剛回深城沒多久呢，已經前往新雲科技那邊上班的席婉清就懷孕了。
問題是，席婉清跟了徐申學也有好幾個月了，但是她父母還不知道……
(本章完)
四月十六日，通城，徐申學在智雲微電子有限公司的總部里，舉辦了一場半導體會議。
會議主要針對現有七納米以及五納米工藝的產能擴充，未來三納米工藝、二納米工藝的技術攻關進行了討論。
邏輯晶片是徐申學非常關注的一個領域，但是也不僅僅只是關注這個領域。
在儲存晶片領域裡徐申學也非常關注……因為儲存晶片市場目前看似平靜，但是新一輪的大規模價格戰正在醞釀當中。
上一輪儲存晶片市場的價格戰，是兩年前，當時的智雲儲存試圖靠著先大規模量產的10C工藝玩價格戰，四星半導體緊跟身後，試圖聯手打壓海力士以及鎂光。
但是出手過於倉促，資金準備也不是很妥當，最重要的是當時的10C工藝節點產能不夠，10B工藝的競爭力也比較一般，最終導致效果不是很好。
搞了一四敗俱傷的價格戰，除了損失各自的利潤外，沒起到什麼實際作用。
而現在，智雲儲存這邊，打算再來一次！
這一次，他們將會準備的更加充分！
而這一次的半導體會議里，在儲存晶片領域的討論，其實也是為了下一輪的儲存晶片市場的技術戰以及價格戰而準備。
快閃記憶體領域，根據會議討論，將會重點圍繞一百層到一百五十層之間的成熟3D NAND快閃記憶體晶片進行大規模的產能擴充，同時建設擴充兩百層以上的3D NAND快閃記憶體晶片的大規模量產。
雖然兩百層以上的快閃記憶體晶片已經有了，但是受限於成本以及產能問題，目前其實並不是主流。
主流儲存晶片的層數，中高端產品是在一百層到一百五十層節點，而這個中高端市場，也是四大儲存晶片巨頭的核心營收以及利潤來源……是支撐其研發新一代技術，建設下一代新工藝產能的戰略支撐。
只要能夠在這個市場區間裡擠死對手，就等於斷了對手的糧草，對方將會在新工藝的研發，新工藝的產能建設上落後……以後就只能玩落後市場了。
半導體製造業非常殘酷的，一步落後就是步步落後。
而領先者，就能夠在新一代工藝上獲得豐厚的營收以及利潤，進而形成良性循環！
智雲集團，在邏輯晶片領域裡的領先優勢，就是這麼一步一步積累起來的！
現在，在儲存晶片領域裡也這麼玩！
儲存晶片除了3D NAND這種快閃記憶體晶片外，還有一個核心產品那就是運行內存晶片。
半導體會議上，確認了進一步大規模擴充相對成熟的10C工藝內存晶片的產能，要求在兩年內把這個核心工藝的產能再翻一番。
要打價格戰，充足的產能是前提……要不然產能就一點點，供不應求的話，還打什麼價格戰啊！
擴大成熟工藝產能的同時，並進一步推進到10D工藝，即第四代十納米工藝，其實際工藝節點規劃為12納米的量產計劃，要求在今年秋天完成技術驗證，明年就大規模出貨！
10C成熟工藝擔任主力，直接玩大規模降價，衝擊對手的基本盤，讓對手的現金流迅速枯竭，失去維持下一代工藝研發以及製造現金流！
新工藝的研發和製造，很耗費資金的！
同時使用頂級技術……對手一時半會追不上的10D先進工藝占領高端市場，以維持整體利潤。
這是一套組合拳，是價格戰和技術戰的雙重結合！
智雲半導體部門很喜歡這麼打擊對手……大多時候效果都挺好的。
其中的10D工藝，就承擔著非常重要的責任：要趁機搶占高端市場，並且在10C工藝的利潤迅速降低的時候，以自身利潤給整個智雲儲存業務回血！
不然到時候10C工藝大規模降價銷售，利潤暴跌的時候，又沒辦法用10D工藝回血，這樣的話就尷尬了。
10C以及10D工藝，這是智雲集團在內存晶片領域的工藝代稱，10C工藝的實際工藝節點為14納米。
這也是目前全球範圍內大規模量產工藝里最頂級的工藝，該工藝出現的還比較早，一度領先了四星半導體……不過四星半導體沒多久就追上來了，沒能形成太久的技術優勢。
目前的10C工藝，是智雲集團旗下各種高端內存晶片的主要量產工藝，這兩年智雲集團的很多終端產品里，都能找到採用該種工藝的高端內存。
目前智雲集團旗下的智雲儲存的HBM3高帶寬內存，也就是APO6000顯卡上使用的內存，就是採用這一工藝製造。
智雲集團旗下的S系列手機，如去年發布的S20Max Pro旗艦級，上面採用的LPDDR5內存晶片，也是採用這一工藝……智雲儲存旗下的LPDDR5高性能高速內存，也是目前最頂級的低功耗內存，性能甚至超過了四星的LPDDR5內存產品。
其原因就是來源於代工生產LPDDR5內存的智雲微電子，其10C工藝的所提供的卓越性能。
現在的10C工藝，依舊是目前量產工藝里的頂級工藝，當然，已經無法大幅度領先對手了。
因為四星半導體，鎂光，海力士都已經陸續追上來並擁有了該級別工藝……他們的同級別工藝有好有壞，但是整體處於同一級別，區別不是很大。
現在，智雲微電子在內存工藝領域裡，已經是全力朝著更先進的10D工藝衝擊，其工藝節點為12納米。
智雲微電子的內存晶片的工藝劃分，早期是採用30納米，25納米，20納米！
後來進入十納米工藝時代後，第一代採用10A工藝，實際工藝節點為18納米。
第二代10B工藝，實際工藝節點為16納米。
第三代10C工藝，實際工藝節點為14納米……這一代工藝開始，智雲微電子開始採用EUV光刻機製造內存晶片的部分核心工序。
而第四代的10D工藝，實際工藝節點為12納米……
這個10D工藝的技術水平是非常高的，屬於目前世界上技術最先進的內存晶片工藝，沒有之一，哪怕是四星半導體想要追上來都困難的很。
而且這種工藝對先進設備的要求也非常高，10D的很多工序里，已經需要大規模使用最先進的HEUV-300C光刻機了。
之前的10C工藝節點裡，可用不著這種頂級傢伙，用的還是HEUV-300B光刻機，並且也只是在少量的核心工序里使用。
而10D工藝，則是需要更先進的HEUV-300C光刻機，並且應用工序更多……這意味著性能更優秀，但是製造成本也更高。
主要是HEUV-300C光刻機貴……這種光刻機是目前海灣科技旗下，也是全球範圍內性能最頂級的量產型號光刻機，其1.5納米的套刻精度能夠輕鬆用於製造等效五納米/七納米工藝的晶片……這款光刻機，乃是智雲微電子裡現在以及未來用於大規模製造EUV單次曝光工藝的主力光刻機。
至於更老舊的HEUV-300B，雖然光刻性能達標，但是生產效率不太行，每小時產能只有一百二十片，現在都已經停產了……有了更先進的HEUV-300C，海灣科技都不願意繼續生產HEUV-300B了。
這也和海灣科技自己的策略有關，因為EUV的鏡片組產能有限，一年在只能生產這麼點EUV光刻機的情況下，他們更傾向於客戶採購最先進，價格更高，利潤更高的產品。
而不是用寶貴的EUV鏡片組產能，去生產成熟便宜，利潤也比較低的產品。
所以，海灣科技把HEUV-300B光刻機的價格標的比較高，簡單直白的告訴客戶：別買這玩意了，來買HEUV-300C啊！
最後客戶一算，HEUV-300C雖然貴很多，但是綜合使用成本性價比還要更好，所以也不抗拒。
別說智雲微電子了，現在中芯採購EUV光刻機，都是採購HEUV-300C型了，只是他們沒啥錢，買的很少。
現在的HEUV-300C光刻機還是相當不錯的，都能夠用來勉強生產等效三納米工藝的晶片了……智雲微電子的第一代三納米工藝，就是用這款光刻機做的。
當然，只是初步滿足等效三納米工藝的需求，良率以及成本上還是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的製造等效三納米乃至二鈉米等一系列EUV雙重曝光工藝的晶片，那麼就需要更新型，目前海灣科技那邊剛完成原型機研製，還沒有開始供貨的HEUV-300D！
這是一款套刻精度達到了驚人的1納米的頂級EUV光刻機，專門為了EUV雙重曝光工藝而研發。
不出意外的話，這也將會是HEUV-300系列光刻機的終極產物……因為到這個階段，光源波長已經沒辦法縮減了，單次曝光的金屬間距被限制在了26納米左右，用在單次曝光製造五納米工藝就是極限了。
要製造三納米工藝的話，就需要進行雙重曝光，這也是300D光刻機的主要技術進步特徵，進一步縮小了套刻精度，使得雙重曝光的良率更高，成本更低。
然後到了二納米工藝呢？一點五納米工藝？一納米工藝呢？
現在的EUV光刻機可就不太好用了。
怎麼辦？換個方向進一步縮小光刻機的極限金屬間隔！
光刻機里，影響光刻精度的參數有好幾個，其他幾種在DUV光刻機時代基本已經到極限了，EUV光刻機則是使用縮小波長的方式來獲得技術進步。
而現在EUV的光源波長技術路線也差不多玩到頭後，剩下最後一個可以提升空間的就只有『NA數值孔徑』這麼一個參數了。
如HEUV-300系列光刻機里，數值孔徑都是統一的0.33！
現在海灣科技那邊的下一代光刻機，就是打算在數值孔徑上做文章，提升數值孔徑，比如放大到0.55甚至更大，進而獲得更小的金屬間隔。
實現單次曝光就製造十六納米以下甚至更小的金屬線寬！
該計劃也就是海灣科技里的HEUV-800光刻機，一種大數值孔徑EUV光刻機。
海灣科技的光刻機，其產品編號都是統一有規律的。
i線光刻機，編號為HI-100系列……
KRF光刻機，編號為HKRF-200系列
DUV乾式光刻機，編號為HDUV-400系列。
DUV浸潤式光刻機，支持雙重曝光的則是為HDUV-500系列，而支持四重曝光的則是HDUV-600系列。
EUV光刻機，因為當年徐申學一心奔著EUV光刻機去，立項非常早，因此比DUV光刻機還要更早一些，所以老早就拿到了HEUV-300的系列編號。
然後前幾年立項發展的納米光刻機，則是用掉了HNIL-700的編號
而新一代的大數值孔徑EUV光刻機，則是採用了新的HEUV-800系列編號。
這種新一代的HEUV-800光刻機，估計也就這兩年內搞出來原型機，至於什麼時候能實際應用，還要看後續研發情況……但是短時間內夠嗆，因為這東西太貴，還需要繼續技術攻關，把成本拉下來，尤其是製造成本給拉下來，要不然半導體製造工廠使用成本過於高昂，難以為繼。
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內存晶片的製造，其實和邏輯晶片也是有點類似的，也嚴重依賴先進光刻機的性能。
有了HEUV-300C光刻機，才有了10D工藝的誕生，目前智雲微電子旗下的工程師們，正在加班加點解決10D工藝的大規模量產問題，不出意外的話，今年秋天左右，第一塊採用10D工藝的內存晶片就會面世，明年春天左右，就能夠大規模出貨！
到時候，智雲集團旗下的智雲儲存，將會在全球範圍內，再一次掀起高端內存領域的戰爭……
不僅僅是在內存領域，在快閃記憶體領域也同樣如此，智雲儲存這邊正在大力推動一百層級別以及一百五十層這兩個工藝節點的3DNAND的成本下降……隨著成本的持續下降，那麼售價也會持續降低……這意味著價格戰！
這一時間表，也是安排在明年春天左右！
智雲儲存正在憋大招呢……試圖同時在快閃記憶體以及內存領域裡掀起一場波及全球儲存晶片市場的戰爭！
智雲儲存去年開始，就已經開始儲備現金流，就等著10D工藝搞定後，在內存晶片領域裡玩價格戰和技術戰。
同時在快閃記憶體晶片領域裡也同樣玩價格戰和技術戰。
雙管齊下，直接來一場規模浩大的儲存晶片戰爭！
這一次，怎麼著也要重創一家內存廠商……直接乾死可能性不大，但是想要重創其中一家，把其中一家擠下第一梯隊還是有可能的。
現在的儲存晶片高端市場裡，有智雲儲存、海力士，鎂光，四星半導體……四家太多了，高端儲存晶片市場的肉不夠分！
邊上的四星半導體也察覺到了智雲儲存的異動，不過他們也是在摩拳擦掌，就等著智雲儲存先發起戰爭……四星半導體的儲存技術一向來都很不錯，雖然現在小幅度落後智雲儲存，但是落後的並不多，而且有四星集團這個母公司在上頭頂著，資金量也很充足的。
再不濟，他們也能夠依靠四星電子的各類產品出貨維持中高端市場的持續出貨。
四星半導體的特性，和智雲儲存/智雲半導體有點類似，都是背靠一家巨大的智能終端企業……想要直接乾死，很難的。
一旦智雲儲存先在儲存晶片領域裡發動戰爭，他們四星半導體也會迅速跟上……跟著一起降價！
然後和智雲儲存一起搶占海力士和鎂光的市場份額。
在儲存晶片領域裡，四星半導體和智雲儲存一向來都很有默契的……經常約著一起打價格戰、技術戰，然後分割其他內存廠商的市場。
多年前全球的各種儲存晶片廠商多了去，數得上名號的都有七八家，現在就只剩下四家還在第一梯隊裡，其他的要麼被收購，要麼變成二三流做中低端市場去了。
這都是智雲儲存和四星半導體的多年來，歷次清洗市場的功勞！
現在，他們打算再來一次！
而到時候，全球的半導體從業者，將會體驗到什麼叫做新一輪的儲存晶片周期……
當然，對於消費者以及企業客戶而言，這是大好事……四大儲存晶片巨頭一起玩價格戰，這意味著大量智能終端廠商等企業採購儲存晶片的成本會下降不少。
而普通消費者們購買內存條，硬碟也會發現價格便宜了不少。
而且不出意外，成熟工藝的儲存晶片價格持續走低，將會持續好幾年！
總之，這一次智雲儲存不乾死其中一家決不罷休……而四星半導體也是信心滿滿能夠抗住這一波的同時，搶食海力士和鎂光的市場。
有這兩家老大和老二一起玩價格戰，後面的老三和老四的鎂光以及海力士也得跟著被迫應戰！
但是海力士和鎂光，他們在技術以及產能、現金儲備上都全面落後，能不能扛得住也是很難說的。
其實今年開始，這兩家公司其實也察覺到這兩家對手的不懷好意的動作……近期的快閃記憶體晶片價格在持續走低，雖然是小幅度，但是陰跌不止啊！
對此，他們的策略其實也很簡單：咬牙死撐……
不是撐到智雲儲存或四星半導體頂不住，而是撐到海力士和鎂光之間死一個。
他們兩家想要活下去，指望智雲儲存和四星半導體撐不住，那不現實，這兩家體量太大，背後的母公司實力太強……但是指望海力士和鎂光之間死一個，那希望就很大了。
鎂光和海力士，他們彼此才是最大的競爭對手！
老三想要活下去，也不一定非要打死老大和老二的，跑的比老四快就行了。
地球上四家一流的儲存晶片巨頭，開始摩拳擦掌，各懷心思的準備新一輪的價格戰……不過外界對此還沒什麼反應，頂多就是察覺到快閃記憶體晶片的價格小幅度持續走低！
而這，只是四大巨頭之間價格戰的前奏而已，真正的大規模價格戰還沒來呢。
這一次的徐申學召開的半導體會議，會議主題里有一大半都是圍繞著即將到來的這一場儲存晶片市場的價格戰而展開的。
當然，技術推進，產能擴充本來就是必須進行的，就算不打價格戰也會這麼搞。
打價格戰也只是順帶的。
對於徐申學旗下各企業而言，擠兌死競爭對手很重要，但是維持自身的技術進步更重要！
他手底下的一堆企業的核心產品，都等著更先進的10D工藝內存，兩百層以上的3D NAND快閃記憶體用呢！
一場半導體會議過後，徐申學返回了深城，剛回深城沒多久呢，已經前往新雲科技那邊上班的席婉清就懷孕了。
問題是，席婉清跟了徐申學也有好幾個月了，但是她父母還不知道……
(本章完)