第8節 晶片準備
大約三百萬美金就這樣很快用掉了，一百萬美金的晶片測試機器，約一百萬美金的EDA軟體，一百萬美金的晶片流片費用，
真是太燒錢了！！！
難道就不能節省一點？例如在EDA軟體上…
對於購買晶片測試機器，晶片流片費用，可能有人表示理解，
但是，EDA軟體為什麼就這麼貴?也要花費那麼多錢？只是在電腦運行一款軟體而已!很多人也許不理解吧！
因為EDA軟體在電子電路設計是非常重要的，通過EDA軟體在電腦進行電子電路設計，極大地縮短設計工期，提高效率，防止設計錯誤，
特別是晶片集成電路上，數千萬或者數億級電晶體電路上…，
對已經設計出電子電路，可以在電腦上進行仿真，提前預估電子電路的功能，進而可以修改，以達到電子電路設計時制定的目標，
…
另外，EDA軟體已經被國外巨頭瓜分，Synopsys、Cadence、Mentor，基本占據各大晶片設計公司和晶片製造工廠，形成了一種壟斷！
EDA軟體分為三種工作模式：晶片設計模式，PCB電路板設計模式，仿真模式，
且這三種軟體模式基本上是獨立分開的，在價格上晶片設計是最貴的，仿真軟體次之，PCB板級軟體算便宜的，
在華夏國，PCB板級軟體安裝在每一台電腦的價格最便宜的精簡版為1萬美金，最貴的商用版本為6萬美金，
而李飛只是在兩台電腦上，安裝EDA軟體商用版本，三種軟體工作模式，作為晶片設計公司是必須花錢購買，真是節省不了！！！
當然，EDA軟體也是李飛的晶片產業計劃之一！
…
好在錢匯入對方公司後，就立即發貨（EDA軟體是序列號），這樣就能提前讓FM晶片量產，提前變現。
不過，晶片製造就沒有那麼快發貨，
把晶片製造資料發給台極電後，需要一番檢查，例如晶片製造材料和製造工藝上，以及晶片設計…，
大約三天後，台極電郵件回復，告知晶片的設計不符合台極電主流工藝，原因是FM晶片是模擬電路，應該採用雙極TTL電晶體工藝，數字電路一般用COMS工藝，
為了提高FM晶片的量產生產力，建議採用成熟的雙極TTL電晶體工藝。
如貴公司繼續堅持FM晶片採用COMS工藝，那麼，晶片的流片時間可能需要延後，
…
看著台極電發過來的郵件，李飛呵呵一笑，
台極電是在拖延時間，製造工藝只不過這是拖延時間的理由而已，
因為台極電的客戶太多了，優先滿足製造國際晶片設計巨頭，例如高通，飛思卡爾，TI，索尼等國際晶片設計巨頭，
對於剛剛建立的大深市晶片產業公司，在台極電眼裡幾乎是不能再小的晶片設計公司，在晶片製造產能上，絕對延後再延後，
甚至是晶片正在生產過程中，一旦晶片設計巨頭下了生產訂單，就馬上下線，優先供應製造晶片設計巨頭公司。
…
李飛這樣確定，是因為cmos工藝已經非常成熟了，
在1963年CMOS工藝已經出現，只不過早期的CMOS器件性能也較差，但由於CMOS器件的功耗極低，集成度也高，用以製造數字LSI和VLSI集成電路可很好地解決最迫切的功耗問題，
於是，在數字LSI和VLSI集成電路的製造中首先得到廣泛應用，並得到快速發展，特別是自20世紀80年代以來，更成為CPU、RAM、ROM等VLSI的主導製造工藝，在電腦晶片工藝應用上十分廣泛。
由於cmos工藝具有電流小，抗干擾能力強，集成度高等一系列的優點，
各大晶片設計巨頭公司開始在模擬晶片電路進行CMOS工藝研究設計…，
而李飛利用重生前的晶片技術積累，用cmos工藝製造FM晶片，可以說在FM晶片市場上是非常先進的晶片工藝技術了！
那麼，如果FM晶片使用雙極TTL電晶體工藝，在市場上沒有優勢了！最重要的是FM晶片後續應用於汽車和手機，可能就沒有技術優勢了，因為汽車和手機的電磁干擾非常大，
於是，李飛親自打電話給台極電專業負責客服工程電話，客氣地說道：「你好，我是大深市晶片產業的工程師李飛，關於貴司的郵件告知我司的晶片流片還需要延遲，到底是什麼原因？」
對方態度不友善地說道：「哦，你FM晶片工藝要求是COMS，可是目前FM晶片主流可是雙極TTL，」
李飛壓住心中怒氣，平和道：「現在晶片工藝主流是COMS…，」
沒等李飛把話說完，對方打斷了，並輕蔑地說：「你們內地人不懂，晶片是高科技產品，和你說不清，簡單地說，你的FM晶片採用CMOS工藝，是比較複雜，在晶片製造上工序比較多，所以，晶片流片時間需要延緩…」
李飛樂呵一笑，在本人面前談論晶片製造工藝，你還嫩了一點，重生前，本人在英特爾是副總裁，負責英特爾的晶片設計和晶片製造，
...
同時，李飛從內心上，認為不必和這人一般見識，不必再繼續說下去…，
但為了FM晶片早點量產，早點讓FM晶片進入市場變現，李飛不得不展示晶片研發實力，給一點顏色看看，讓對方知道什麼是研發技術大神。但沒有必要再客氣了，就命令道：「你不要打斷我說話！如我說得沒有錯的話，CMOS工藝流程大概是這樣的：
先是準備n型矽片，用以製造NMOS和PMOS電晶體。（註：CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的）
再使用濕氧化方法，在矽片上生長設定厚度（如約0.6微米）的二氧化矽層，作為製造p型區的掩蔽層。隨後光刻p型區。
接著，光刻出NMOS電晶體的p阱區和PMOS電晶體的源、漏區後，使用氮化硼片作摻雜源進行硼預澱積。
在澱積硼以後，進行雜質推進擴散，形成NMOS電晶體的p阱，在推進擴散的同時，也進行干氧化，接著進行濕氧化預定時間（如20分鐘），該二氧化矽層作為光刻n型區的掩蔽層。
如光刻出n型摻雜區，然後進行磷摻雜擴散，形成NMOS電晶體的源、漏區；
在磷擴散以後，進行濕氧化預定時間（如20分鐘），該二氧化矽層用以製造NMOS和PMOS柵氧化區的的掩蔽層；
光刻出NMOS和PMOS電晶體的柵區，然後使用干氧化方法，生成設定厚度的柵二氧化矽層（如500納米製程），」
真是太燒錢了！！！
難道就不能節省一點？例如在EDA軟體上…
對於購買晶片測試機器，晶片流片費用，可能有人表示理解，
但是，EDA軟體為什麼就這麼貴?也要花費那麼多錢？只是在電腦運行一款軟體而已!很多人也許不理解吧！
因為EDA軟體在電子電路設計是非常重要的，通過EDA軟體在電腦進行電子電路設計，極大地縮短設計工期，提高效率，防止設計錯誤，
特別是晶片集成電路上，數千萬或者數億級電晶體電路上…，
對已經設計出電子電路，可以在電腦上進行仿真，提前預估電子電路的功能，進而可以修改，以達到電子電路設計時制定的目標，
…
另外，EDA軟體已經被國外巨頭瓜分，Synopsys、Cadence、Mentor，基本占據各大晶片設計公司和晶片製造工廠，形成了一種壟斷！
EDA軟體分為三種工作模式：晶片設計模式，PCB電路板設計模式，仿真模式，
且這三種軟體模式基本上是獨立分開的，在價格上晶片設計是最貴的，仿真軟體次之，PCB板級軟體算便宜的，
在華夏國，PCB板級軟體安裝在每一台電腦的價格最便宜的精簡版為1萬美金，最貴的商用版本為6萬美金，
而李飛只是在兩台電腦上，安裝EDA軟體商用版本，三種軟體工作模式，作為晶片設計公司是必須花錢購買，真是節省不了！！！
當然，EDA軟體也是李飛的晶片產業計劃之一！
…
好在錢匯入對方公司後，就立即發貨（EDA軟體是序列號），這樣就能提前讓FM晶片量產，提前變現。
不過，晶片製造就沒有那麼快發貨，
把晶片製造資料發給台極電後，需要一番檢查，例如晶片製造材料和製造工藝上，以及晶片設計…，
大約三天後，台極電郵件回復，告知晶片的設計不符合台極電主流工藝，原因是FM晶片是模擬電路，應該採用雙極TTL電晶體工藝，數字電路一般用COMS工藝，
為了提高FM晶片的量產生產力，建議採用成熟的雙極TTL電晶體工藝。
如貴公司繼續堅持FM晶片採用COMS工藝，那麼，晶片的流片時間可能需要延後，
…
看著台極電發過來的郵件，李飛呵呵一笑，
台極電是在拖延時間，製造工藝只不過這是拖延時間的理由而已，
因為台極電的客戶太多了，優先滿足製造國際晶片設計巨頭，例如高通，飛思卡爾，TI，索尼等國際晶片設計巨頭，
對於剛剛建立的大深市晶片產業公司，在台極電眼裡幾乎是不能再小的晶片設計公司，在晶片製造產能上，絕對延後再延後，
甚至是晶片正在生產過程中，一旦晶片設計巨頭下了生產訂單，就馬上下線，優先供應製造晶片設計巨頭公司。
…
李飛這樣確定，是因為cmos工藝已經非常成熟了，
在1963年CMOS工藝已經出現，只不過早期的CMOS器件性能也較差，但由於CMOS器件的功耗極低，集成度也高，用以製造數字LSI和VLSI集成電路可很好地解決最迫切的功耗問題，
於是，在數字LSI和VLSI集成電路的製造中首先得到廣泛應用，並得到快速發展，特別是自20世紀80年代以來，更成為CPU、RAM、ROM等VLSI的主導製造工藝，在電腦晶片工藝應用上十分廣泛。
由於cmos工藝具有電流小，抗干擾能力強，集成度高等一系列的優點，
各大晶片設計巨頭公司開始在模擬晶片電路進行CMOS工藝研究設計…，
而李飛利用重生前的晶片技術積累，用cmos工藝製造FM晶片，可以說在FM晶片市場上是非常先進的晶片工藝技術了！
那麼，如果FM晶片使用雙極TTL電晶體工藝，在市場上沒有優勢了！最重要的是FM晶片後續應用於汽車和手機，可能就沒有技術優勢了，因為汽車和手機的電磁干擾非常大，
於是，李飛親自打電話給台極電專業負責客服工程電話，客氣地說道：「你好，我是大深市晶片產業的工程師李飛，關於貴司的郵件告知我司的晶片流片還需要延遲，到底是什麼原因？」
對方態度不友善地說道：「哦，你FM晶片工藝要求是COMS，可是目前FM晶片主流可是雙極TTL，」
李飛壓住心中怒氣，平和道：「現在晶片工藝主流是COMS…，」
沒等李飛把話說完，對方打斷了，並輕蔑地說：「你們內地人不懂，晶片是高科技產品，和你說不清，簡單地說，你的FM晶片採用CMOS工藝，是比較複雜，在晶片製造上工序比較多，所以，晶片流片時間需要延緩…」
李飛樂呵一笑，在本人面前談論晶片製造工藝，你還嫩了一點，重生前，本人在英特爾是副總裁，負責英特爾的晶片設計和晶片製造，
...
同時，李飛從內心上，認為不必和這人一般見識，不必再繼續說下去…，
但為了FM晶片早點量產，早點讓FM晶片進入市場變現，李飛不得不展示晶片研發實力，給一點顏色看看，讓對方知道什麼是研發技術大神。但沒有必要再客氣了，就命令道：「你不要打斷我說話！如我說得沒有錯的話，CMOS工藝流程大概是這樣的：
先是準備n型矽片，用以製造NMOS和PMOS電晶體。（註：CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的）
再使用濕氧化方法，在矽片上生長設定厚度（如約0.6微米）的二氧化矽層，作為製造p型區的掩蔽層。隨後光刻p型區。
接著，光刻出NMOS電晶體的p阱區和PMOS電晶體的源、漏區後，使用氮化硼片作摻雜源進行硼預澱積。
在澱積硼以後，進行雜質推進擴散，形成NMOS電晶體的p阱，在推進擴散的同時，也進行干氧化，接著進行濕氧化預定時間（如20分鐘），該二氧化矽層作為光刻n型區的掩蔽層。
如光刻出n型摻雜區，然後進行磷摻雜擴散，形成NMOS電晶體的源、漏區；
在磷擴散以後，進行濕氧化預定時間（如20分鐘），該二氧化矽層用以製造NMOS和PMOS柵氧化區的的掩蔽層；
光刻出NMOS和PMOS電晶體的柵區，然後使用干氧化方法，生成設定厚度的柵二氧化矽層（如500納米製程），」